Nmaterials and Methods A 0 és 0,12 mttriummal rendelkező Hastelloy

x ötvözetek (tömeg%) pontos kémiai készítményei (tömeg%) HX és HX

A, és Az 1. táblázatban látható. Ez a két példány 45 × 45 × 45 mm-es alakú alakban épült az EOS M290 SLM gép használatával (EOS, ROBERTSTIRING-RING 1, 82152, KRAILLING, Bavaria, Németország) a Védő AR atmoszféra előporosporokkal és ugyanazokkal a feldolgozási paraméterekkel. Végeztünknormál hőkezelés mind a HX és HX-a példányok. Megoldás hőkezelés (ST) végeztünk 1177 ◦C 2 órán, majd levegőn lehűtöttük szobahőmérsékletre----

 A a kúszási vizsgálat, mi szeletelve a a kocka több mint 3,1 mm vastagságú lemezekbe; Ezekből a lemezekből a kúszási tesztmintákat elektrotermékkel vágtuk ki. Az egyes minták mérőméretei 19,6 × 2,8 × 3,0 mm. Végeztünk a kúszó vizsgálat alatt 900 ◦C80 MPa feltételekkel. A mintákat csiszolt alkalmazásával SiC csiszolópapírral akár fokozatú 1200

majd gyémánt paszta akár kolloid szilícium-dioxid (0,5 um) alkalmazásával Struers (Ballerup, Dánia) automata csiszológép. Minden A próbatesteket ezután etanollal mossuk ultrahangos fürdőben 10 percig. Mi maratott a próbatesteket 20% -os foszforsavval

80% -os vizes oldata, hogy tartsa az olvadt medence határokat. A mikrostrukturális megfigyelést optikai mikroszkóppal (OM; Olympus Corp. Tokyo, Japán), egy szkennelési elektronmikroszkóppal (SEM; Hitachi, Ltd., Tokyo, Japán), EnergyDispersive spektroszkópia (EDS) (S-3700N típusú eds) A HORIBA SEISAKUSHO Co., Ltd., Kyoto, Japán által gyártott berendezések és a mező kibocsátású elektronmikroszkóppal (FE/SEM) (JSM#7100, JEOL, TOKYO, JAPAN) egy EDS-hez (EDAXAMETEX 9424). Image j szoftver (64+bit Java 1.8.0_172) használtunk a repedési frakció és a porozitási mérések elemzésére.-----

 

 

 

 -

-----

 

--

N

3.1. 

3.1.1--duoilt példányok

figure 1 mutatja a hx és a hx \\ t Na példányok optikai mikrostruktúrák az ASbuilt állapotban. Minden gyártották ugyanazt a feldolgozási paramétereket. A HX a minta, mutatott több repedés, mint HX (1a ábra), mert a HXa szereplő mintának további ittrium (Y) ötvözőelem, amely a HX próbatest hiányzott. A figyelemre méltó pont az, hogy a repedések párhuzamos volt az épület irányba (BD) (1b ábra). A HX és a HXA minták repedései 1% és 5%.

----

 

mint

built mintát. Az alacsonyabbnagyításnál az összes példány olvadt medencehatárokat és megszilárdulási struktúrákat, például szemcseméreteket és dendriteket mutatott (2a, B ábra a HX és a 2C. ábra, D a HXA). 2b ábra mutatja repedéseknagyobbnagyításban a HX mintában. Mindkét példányban a repedések a gabona határa mentén alakultak ki, és az interdendritikus régiókban jelentek meg.

\\n \\n \\n \\n \\n \\nA végre EDS feltérképezése vizsgál a repedések a HX és HX \\na példányok. EDS analízis kimutatta, SiC-karbidok és W6C képződését a HX mintában (3a ábra). A HX \\ NA mintásban a Crack eds leképezése az YC (3B. Ábra) \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n a hx \\na, mint \\nbuilt példány, amely a kis Y oxid (yttria) és az SI-oxid (szilícium-dioxid) részecskék létezését jelzi a gabona belsejében. Az elektron visszaszórási diffrakciós (EBSD) kristálytani orientációja térképek mindkét példányok, mint \\nbuilt állapot (5. ábra) feltárta oszlopos orientált szemcséket majdnem párhuzamos az épület irányába. A HX mintát,néhány szem vannak orientálva az irányba, ésnéhány irányában vannak (5a ábra). Másrészt, a szemcsék a HX \\na mintának valamivel finomabb és többnyire orientált irányában (5b ábra) \\n \\n. \\ N \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n